机构：国产DRAM内存芯片和三星的技术差距是5年
数字经济时代，机构距年芯片扮演着重要角色。国产得益于人才聚集、内存产业升级、芯片政策扶持等，和星我国的术差半导体产业正在蓬勃发展，并不断拉近与先进地区、机构距年企业的国产差距。
日前，内存韩国研究机构OERI在报告中称，芯片估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的和星技术差距已缩短至5年。
具体来说，术差三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，机构距年国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的国产打算则是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。
一般而言，内存DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。
按照正常节奏，国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距，可目前有一个比较棘手的问题在于，三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV（极紫外光刻）设备，而这对我们来说，暂时还没法获取。
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